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    • 专利摘要:
    本發明提供一種可藉由僅於多片基板上之特定部分形成薄膜之作業簡化並效率化，而縮短薄膜形成時之作業時間，削減成膜作業之費用之薄膜形成裝置。薄膜形成裝置100所具備之基板保持機構3具備：基板保持構件10~40，以基板S之非成膜部分S2之一部分與另一基板S重合，而成膜部分S1露出之方式保持複數個基板S；支持構件50，支持基板保持構件10~40；以及旋轉構件60，使支持構件50旋轉；且基板保持構件10~40具有：複數個保持面11d，保持複數個基板S，且配置於成膜源4與複數個基板S之間；複數個階差部11e，形成於複數個保持面11d之間，且與複數個基板S之端部分別抵接；以及複數個開口部11f，在處於基板S之端部抵接於複數個階差部11e之狀態時，形成在相當於成膜部分S1之部分之保持面11d上。
    公开号:TW201313926A
    申请号:TW101132713
    申请日:2012-09-07
    公开日:2013-04-01
    发明作者:you-song Jiang；Ichiro Shino；Mitsuhiro Miyauchi；Takaaki Aoyama；Tatsuya Hayashi；Ekishu Nagae
    申请人:Shincron Co Ltd；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    薄膜形成裝置
    本發明係關於一種薄膜形成裝置，尤其是關於一種可針對多片基板上之特定部分，高效地形成薄膜之薄膜形成裝置。
    於數位相機或數位視訊等之攝影機器、行動電話、智慧型手機、可攜式遊戲機等各種機器中，使用有於基板表面上形成薄膜之技術。
    而且，該等機器所具備之基板即便有遍及基板整面而形成薄膜者，但多數情況下為僅於基板上之某特定之區域內選擇性地形成有薄膜者。
    因此，為了僅於基板上之特定之部分選擇性地形成薄膜，使用一種在保持於配置在薄膜形成裝置內之基板保持機構之基板中，藉由遮罩覆蓋不形成薄膜之部分(以下稱為「非成膜部分」)之技術。然而，於如此地藉由遮罩覆蓋基板之技術中，一般而言，係以基板上之形成薄膜之部分(以下稱為「成膜部分」)不彼此重疊之方式將各基板保持於基板保持機構，故無法使保持於基板保持機構之基板之數量較多。因此，存在無法對多片基板整批成膜，成膜效率降低等缺點。
    針對上述之問題，提出一種非使用遮罩形成非成膜部分，且以另一基板覆蓋非成膜部分之方式，於使基板重合之狀態形成薄膜之技術(專利文獻1)。
    又，於專利文獻2中，提出一種，即使用第1銷及第2銷使複數個基板傾斜而配置，於基板之端部附近形成薄膜之技術。這樣，因基板彼此發揮遮罩之作用，彼此以斜狀配置之基板於成膜時無需具備遮罩，且以基板彼此重疊之方式配置，故可整批處理多片基板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開昭63-266071號公報
    [專利文獻2]日本特開平7-34222號公報
    然而，於專利文獻1中所揭示之技術中，於最後載置在基板固持器之基板之上，必需安裝覆蓋非成膜部分之防著板，故作業效率降低。又，專利文獻2中所揭示之技術必需將基板分別卡止於第1銷及第2銷，故存在基板之設置作業繁雜，作業時間變長等缺點。
    因此，於專利文獻1及專利文獻2之技術中，存在薄膜形成時之作業時間變長，於成膜作業中費用高昂之問題點。
    進而，專利文獻1及專利文獻2中所揭示之基板保持機構形成基板之端部(包含側面之端部)必然露出之構成，故難以精細地設定成膜部分之形狀或大小。因此，存在可形成於基板上之成膜部分之形狀或大小受限之缺點。
    本發明之目的在於提供一種可藉由僅於多片基板上之特定部分形成薄膜之作業簡化並效率化，而縮短薄膜形成時之作業時間，削減成膜作業之費用之薄膜形成裝置。
    又，本發明之另一目的在於提供一種僅於基板上之特定之部分形成成膜部分時，可精細地設定成膜部分之形狀或大小之薄膜形成裝置。
    上述課題係根據本發明之薄膜形成裝置之特徵而解決。本發明之薄膜形成裝置係具有保持複數個基板之基板保持機構，於上述複數個基板上形成薄膜之薄膜形成裝置，其特徵在於：上述基板保持機構，具備：基板保持構件，保持上述複數個基板；支持構件，支持該基板保持構件；以及旋轉構件，使該支持構件旋轉；上述基板保持構件，具有：複數個保持面，保持上述複數個基板，且配置於釋出上述薄膜之材料之成膜源與上述複數個基板之間；複數個階差部，形成於該複數個保持面之間；以及複數個開口部，分別形成於上述複數個保持面；當處於上述複數個基板之中不形成上述薄膜之非成膜部分之一部分與其他基板重合並且形成上述薄膜之成膜部分露出、上述複數個基板之端部分別抵接於上述階差部之狀態時，上述成膜部分能以通過上述開口部於上述成膜源側露出之方式搭載複數個上述基板。
    為了謀求僅於基板上之特定之部分形成薄膜之技術之效率化，先前係以另一基板覆蓋非成膜部分之方式使基板彼此重疊而保持之狀態中進行成膜步驟。此時，存在非成膜部分以另一基板覆蓋之方式配置，並且以成膜部分露出之方式保持基板之作業繁雜等問題點。
    針對此種問題點，根據本發明之薄膜形成裝置，僅使基板抵接(載置)於保持基板之保持面、及階差部便可容易地使複數個基板保持於基板保持機構中。而且，於成膜源與基板之間具備基板保持機構之保持面，於該保持面中在相當於成膜部分之部分具備開口部，故僅基板之成膜部分露出，無需進行複雜之安裝作業。即，可以另一基板覆蓋基板之非成膜部分，並且以使成膜部分露出之方式保持基板之作業簡化。因此，於保持基板時，無需進行複雜之作業故可效率化。其結果，可縮短薄膜形成時之作業時間，可削減成膜作業之費用。
    又，藉由於保持面具備開口部可僅使基板之成膜部分露出，故保持面(基板保持構件)發揮遮罩之作用。因此，可取決於開口部之形狀或大小而控制成膜部分之形狀或大小，故可進行更精密之成膜作業。
    進而，藉由於基板保持機構中，更具備使支持構件(即基板保持機構)旋轉之旋轉構件，可使基板保持構件亦旋轉，故可使形成於複數個基板中之薄膜以均一之膜質、膜厚形成。
    此時，較佳為，上述基板保持構件於上述旋轉構件之旋轉方向分割成2以上12以下。
    而且，藉由將基板保持構件於基板保持機構之旋轉方向上分割成2份~12份，可使基板保持構件成為適當之大小，可對於支持構件容易地安裝。因此，成膜作業之作業效率提高，可縮短作業時間。
    進而，較佳為，上述基板保持構件係形成為俯視時呈環狀，且於上述基板保持構件之徑方向上，相鄰而配置複數個上述基板保持構件。
    因此，藉由於徑方向上以相鄰之狀態具備複數個形成為環狀(甜甜圈狀)之基板保持構件，因而可進而增加基板保持機構能保持之基板之數量。因此，可增加能整批成膜之基板片數，故成膜作業之效率飛躍性地提高。
    又，較佳為，上述支持構件係以上述基板保持構件之上述複數個保持面、與上述旋轉構件之旋轉軸所成之角度可變之方式保持上述基板保持構件。
    於基板保持構件中，藉由使保持基板之保持面與水平面所成之角度可變更，可修正於基板上成膜之薄膜之膜厚。其結果，可於複數個基板上，形成更均一之膜厚之薄膜，可削減成膜時所需之材料。
    此時，較佳為，上述基板保持構件係以通過上述成膜部分與上述成膜源之第1假想線、與相對於上述成膜部分之成膜面之垂線所成之角度為0°以上45°以下之方式保持上述複數個基板。
    於基板上形成薄膜時，薄膜之厚度(膜厚)係取決於成膜面與釋出薄膜材料之成膜源之相對位置。更詳細而言，膜厚係取決於薄膜材料自成膜源相對於成膜面入射之角度。
    因此，藉由將薄膜材料自成膜源相對於成膜面入射之角度即通過基板之成膜面與成膜源之假想線、與相對於成膜面之垂線所成之角度設定為上述範圍，可易於控制形成於基板上之薄膜之厚度，從而可於複數個基板中形成更均一之膜厚之薄膜。
    又，較佳為，上述支持構件係以形成於上述複數個保持面之上述複數個開口部位於以上述旋轉構件之旋轉軸為中心軸之假想圓頂(Dome)上之方式支持上述基板保持構件。
    因此，藉由使設置於基板保持構件之開口部以位於以旋轉構件之旋轉軸(即，基板保持機構之旋轉軸)為中心軸之假想圓頂上之方式配置，可於複數個基板中，形成更均一之膜厚之薄膜。
    進而，較佳為，於上述徑方向上彼此相鄰而配置之上述基板保持構件，係配置在形成於一上述基板保持構件之上述開口部相對於上述成膜源並未被另一上述基板保持構件遮蔽之位置。
    如此，形成為環狀且彼此於徑方向上相鄰而配置之基板保持構件係以基板保持構件中所具備之開口部相對於成膜源露出之方式配置。於以形成為環狀之基板保持構件於徑方向上相鄰之方式配置之基板保持機構中，形成於基板上之薄膜之厚度易受到相鄰而配置之基板保持構件之影響。因此，藉由使基板保持構件中所具備之開口部位於相對於成膜源未被另一基板保持構件遮蔽之位置中，於基板上成膜之薄膜之厚度變得不易受到基板保持構件之影響，從而可使膜厚更均一。
    又，較佳為，上述支持構件係支持形成為俯視時呈環狀且於旋轉方向及徑方向之至少一方配置有複數個之上述基板保持構件；於上述徑方向上彼此相鄰而配置之上述基板保持構件係配置在相對於通過形成於一上述基板保持構件之上述保持面之上述開口部之外周與上述成膜源之第2假想線，另一上述基板保持構件之上述徑方向之端部離開20 mm以上之位置。
    於以形成為環狀之基板保持構件於旋轉方向及徑方向之至少一方上相鄰之方式配置之基板保持機構中，形成於基板上之薄膜之厚度易受到相鄰而配置之基板保持構件之影響。因此，藉由使一基板保持構件之開口部位於相對於另一基板保持構件之旋轉方向及徑方向之至少一端部離開20 mm以上之位置，可使所形成之薄膜之厚度不易受到基板保持構件之影響，可使膜厚更均一。
    此時，較佳為，上述複數個階差部係沿著相對於上述徑方向傾斜之方向而形成；上述複數個基板係由矩形狀之板材所構成，當將上述複數個基板中上述徑方向內側之緣邊之長度分別設為L，將上述複數個基板之各個之緣邊之中心點至上述旋轉構件之旋轉軸之距離設為r時，上述基板保持構件以(L/2)/r之值成為0.05以上0.75以下之方式保持上述複數個基板。
    因此，尤其於形成薄膜之基板為矩形狀時，藉由將基板保持構件設定為上述構成，可使保持於基板保持構件之基板之數量更多。因此，可增加能整批成膜之基板片數，故成膜作業之效率飛躍性地提高。
    又，較佳為，上述基板保持構件係以被重合而保持之上述複數個基板之中一上述基板之緣邊、與另一上述基板之緣邊所成之角度成為0°以上90°以下之方式保持上述複數個基板。
    因此，於使矩形狀之基板保持在基板保持構件中時，藉由以上述位置關係配置，可使保持於基板保持構件之基板之數量更多。因此，可增加能整批成膜之基板片數，故成膜作業之效率飛躍性地提高。
    進而又，較佳為，上述複數個階差部之高度與上述複數個基板之厚度相比高出0.05 mm以上而形成。
    因此，藉由使基板之緣端所抵接之階差部之高度高於基板之厚度0.05 mm以上而形成，可於重疊基板彼此時，抑制基板表面之損傷。因此，可製造品質良好之帶薄膜之基板。
    根據本發明之薄膜形成裝置，可不對基板保持構件進行複雜之作業，而容易地保持複數個基板。因此，於保持基板時，無需進行複雜之作業，故可使成膜作業效率化。其結果，可縮短薄膜形成時之作業時間，可削減成膜作業之費用。又，本發明之薄膜形成裝置可使多片基板保持於基板保持構件，故可能整批成膜之基板片數更多，從而成膜作業之效率進而提高。
    進而，因於基板保持機構之基板保持構件之保持面中，具備用以使成膜部分露出之開口部，故保持面(基板保持構件)發揮遮罩之作用。因此，可取決於開口部之形狀或大小而控制成膜部分之形狀或大小，故可進行更精密之成膜作業。
    進而又，本發明之薄膜形成裝置係藉由將基板保持機構所具備之基板保持構件設定為上述構成，可以膜厚變得更均一之方式形成薄膜。其結果，可削減成膜時所必需之材料。
    以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，以下所要說明之構件、配置等並非限定本發明者，當然可遵循本發明之要旨進行各種改變。
    圖1至圖13係關於本發明之一實施形態之圖示，圖1係顯示薄膜形成裝置之示意圖，圖2係保持於基板保持機構之基板之俯視圖，圖3係基板保持機構之俯視圖，圖4係本發明之一實施形態之構成基板保持構件之保持治具之立體圖，圖5係保持治具之俯視圖，圖6係顯示於保持治具載置有第1片基板之狀態之俯視圖，圖7係顯示於保持治具載置有全部基板之狀態之俯視圖，圖8係顯示於保持治具載置有基板之狀態之剖面說明圖，圖9係顯示於保持治具載置有基板之狀態之剖面說明圖，圖10係顯示本發明之一實施形態之固定有基板保持構件之支持構件與成膜源之位置關係之說明圖，圖11係顯示本發明之實施例1之抗反射膜之反射率之圖表圖，圖12係顯示本發明之比較例1之抗反射膜之反射率之圖表圖，圖13係顯示本發明之另一比較例2之抗反射膜之反射率之圖表圖，圖14及圖15係本發明之另一實施形態之圖示，圖14係基板保持構件之說明圖，圖15係基板保持構件之立體圖。
    本發明之特徵性要素即基板保持機構3，係為了對複數個基板S整批形成薄膜而位於薄膜形成裝置100上者。基板S並非遍及其表面整體而形成有薄膜者，而是僅於特定之區域形成有薄膜之基板，且具備成膜部分S1、與不形成薄膜之非成膜部分S2。當於具有成膜部分S1及非成膜部分S2之基板S形成薄膜時，基板保持機構3為了整批處理大量基板S而具備以下之構成。 <薄膜形成裝置之構造>
    圖1之薄膜形成裝置100係於基板S之表面上形成薄膜之真空蒸鍍裝置，圖1係顯示薄膜形成裝置100之一部分之概略剖面圖。
    薄膜形成裝置100係使真空容器1內成真空狀態，對金屬等薄膜材料進行加熱使其蒸發，且藉由薄膜材料於基板S之表面上形成薄膜者。薄膜形成裝置100係具備真空容器1、基板保持機構3、以及成膜源4。
    真空容器1係由鋁或不鏽鋼等公知之金屬材料所構成，其內部為用以於基板S上形成薄膜之大體圓筒中空之容器體。於真空容器1中連接有真空泵2，可使真空容器1之內部成1×10-2~1×10-5 Pa左右之真空狀態。於真空容器1中具備於內部導入氣體之未圖示之氣體導入管、以及未圖示之壓力計。 <基板保持機構之構成>
    基板保持機構3係設置於真空容器1之內部，為了於複數個基板S同時整批成膜，而保持複數個基板S。如圖1、圖3所示，形成為側視時呈山型形狀、俯視時呈圓形之圓頂狀。圖3之箭頭係顯示旋轉構件60之旋轉方向。
    基板保持機構3具備以同心圓狀配置之環狀之基板保持構件10、20、30、40、支持基板保持構件10、20、30、40之支持構件50、以及使支持構件50旋轉之旋轉構件60。
    旋轉構件60係由公知之旋轉馬達等所構成，位於基板保持機構3之中心，於基板保持機構3之中心具有沿鉛直方向延伸之旋轉軸X。
    旋轉構件60係以旋轉軸X為軸而旋轉，藉此使支持構件50進而使基板保持構件10、20、30、40於水平方向中旋轉。
    如圖1、圖3所示，支持構件50係由長條之棒狀體所構成，一端固定於旋轉構件60，另一端以配置於旋轉構件60之下方外側之方式配置。
    於支持構件50之一部分中，安裝有用以固定基板保持構件10、20、30、40之固定用板材51a。固定用板材51a係由金屬性材料所構成，且具備平面狀之板部、以及自該板部連續且相對於板部而彎曲之支持構件安裝部。板部與支持構件安裝部之角度，係等於支持構件50與基板保持構件10、20、30、40所成之角度，以藉由螺栓固定或熔接等將支持構件安裝部固定於支持構件50，從而使板部平行於基板保持構件10、20、30、40之安裝面之方式構成。
    將固定用板材51a之支持構件安裝部安裝於支持構件50，藉由螺栓51固定基板保持構件10、20、30、40，使基板保持構件10、20、30、40支持於支持構件50。
    如圖1所示，固定用板材51a係僅以與安裝在支持構件50之基板保持構件10、20、30、40之數量設置於支持構件50。於本實施形態中，共計具備4行基板保持構件10、20、30、40，因此於各支持構件50中，具備4個固定用板材51a。
    支持構件50與基板保持構件10、20、30、40之分割數同數而設置，以旋轉軸X為中心相互具有固定之角度間隔地固定於旋轉構件60。旋轉構件60與支持構件50作為整體，具有如傘架之形狀。於本實施形態中，具備5個支持構件50。
    支持構件50之旋轉構件60側之端部固定於旋轉構件60。
    基板保持構件10、20、30、40係保持複數個基板S之構件，由加工容易且相對輕量之鋁所製成。
    如圖3所示，基板保持構件10、20、30、40係形成為同心異徑之環狀。
    基板保持構件10、20、30、40分別沿圓周方向與支持構件50之數量同數而分割，作為與支持構件50之數量同數之保持治具之集合體而構成。構成一個基板保持構件之複數個保持治具係由同一形狀所形成。
    而且，本實施形態中，基板保持構件10、20、30、40於旋轉構件60之旋轉方向上分別分割成5份，但亦可分割成除此以外之數量份。此時，基板保持構件10、20、30、40亦可於圓周方向上分割成2以上12以下。
    如此，藉由對基板保持構件10、20、30、40進行分割，與基板保持構件10、20、30、40形成為一體之情形時相比為輕量化。基板保持構件10、20、30、40係由於載置有多片基板S之狀態中被作業者舉起而安裝在支持構件50，故藉由使基板保持構件10、20、30、40輕量化，使基板保持構件10、20、30、40易於安裝，且作業效率提高。
    另一方面，若基板保持構件10、20、30、40分割成多於12份，則將基板保持構件10、20、30、40固定於支持構件50之作業時間變長，作業效率降低，故而不佳。又，若將各基板保持構件10、20、30、40視作整體，則基板S未相互重疊之部分、或肉厚部11i、11j等所佔據之面積變大，故可積載於基板保持構件10、20、30、40之基板S之數量變少，每1批可處理之基板S之數量減少，成膜處理之效率降低。 <保持治具之構成>
    保持治具11~15係構成基板保持構件10之要素。即，基板保持構件10係分割成俯視時呈圓弧狀之保持治具11~15。
    基板保持構件10、20、30、40於其直徑不同之點上相異，但其基本構造大致相同。又，保持治具11~15係將基板保持構件10等分而成者，其構成彼此相同。以下，對構成基板保持構件10之保持治具11進行說明。
    保持治具11係形成為環狀而構成基板保持構件10者，形成為俯視時呈圓弧狀。複數個基板S係藉由載置於保持治具11而保持於基板保持構件10(保持治具11)，此時，保持治具11以相鄰而保持之基板S之非成膜部分S2之至少一部分彼此重合，並且成膜部分S1露出之方式保持複數個基板S。
    如圖4所示，保持治具11係剖面大致呈字狀(U字狀)之板狀構件，具備：底板部11a，由長度方向之2邊描繪以旋轉軸X為中心之同心之圓弧而彎曲之板體所構成；內側立壁部11b，自底板部11a之徑方向內側端部朝向上方而豎立；外側立壁部11c，自底板部11a之徑方向外側端部朝向上方而豎立；以及肉厚部11i、11j，分別設置於底板部11a之圓周方向之兩端。
    於底板部11a中，形成有最下層基板配置部11A，用以於保持治具11配置第1片基板S；以及階梯狀部11B，較最下層基板配置部11A更往逆時針方向鄰接而設置，且底面形成為階梯狀。再者，順時針方向及逆時針方向亦可相反。於該情形時，全部構成作為相反之鏡像體而構成。
    如圖4、圖5所示，最下層基板配置部11A及階梯狀部11B、與內側立壁部11b、外側立壁部11c之間，存在固定之間隙，該間隙分別成為排氣槽11k、11m。
    最下層基板配置部11A係作為由肉厚部11j、階梯狀部11B之端部、較內側立壁部11b更靠近保持治具11之徑方向外側而設置之第一壁部11n、與較外側立壁部11c更靠近保持治具11之徑方向內側而設置之第二壁部11o所包圍之區域而構成。
    肉厚部11j設置於以保持治具11之旋轉軸X為中心之順時針方向之端部，作為沿徑方向延伸之壁部而形成。肉厚部11j係大致沿圓周方向延伸之排氣槽11jx於徑方向之內側與外側共計設置有2個。排氣槽11jx係由橫跨肉厚部11j之圓周方向之兩端之凹部所構成。
    保持治具11藉由具備排氣槽11k、11m、11jx，而如圖7所示，可於載置有複數個基板S之狀態中，將滯留於基板S與保持治具11之間之空氣順暢地除去，從而可高效地進行成膜作業。
    於肉厚部11j中，設置有保持治具11之圓周方向內側變低所成之階差11js。階差11js係以旋轉軸X側接近保持治具11之順時針方向之端面之方式，相對於同端面而傾斜。階差11js藉由使基板S之端部抵接，可定位基板S。
    最下層基板配置部11A係藉由階梯狀部11B之端部而規定。階梯狀部11B之端部係與最下層基板配置部11A鄰接而設置之階梯狀部11B之第一階差，且與基板S之厚度為大致相同之高度，作為較最下層基板配置部11A之底面階梯狀部11B側變高之階差而形成。
    第一壁部11n係設置於內側立壁部11b之若干外周側，即保持治具11之內側，且自肉厚部11j之旋轉軸X側之端部連續，大致朝向圓周方向而延伸。第一壁部11n係肉厚部11j側之端部若干高於最下層基板配置部11A之階梯狀部11B側之端部而形成，最初設置於保持治具11之第1片基板S，可以肉厚部11j側若干高於階梯狀部11B側之端部之方式傾斜而設置。
    第二壁部11o係設置於外側立壁部11c之若干內周側，即保持治具11之內側，且自肉厚部11j之旋轉軸X相反側之端部連續，大致朝向圓周方向而延伸。
    如圖4所示，於第二壁部11o形成有肉厚部11j側變高所成之階差部11os，且形成為藉由使基板S之端部抵接於該階差部11os，可定位基板S。
    第二壁部11o係肉厚部11j側之端部若干高於最下層基板配置部11A之階梯狀部11B側之端部而形成，最初設置於保持治具11之第1片基板S，可以肉厚部11j側若干高於階梯狀部11B側之端部之方式傾斜而設置。
    又，由最下層基板配置部11A之肉厚部11j、階梯狀部11B之端部、第一壁部11n、以及第二壁部11o所包圍之區域之底面，係由抵接於最初設置在保持治具11上之第1片基板S之下表面進行支持之支持面11g1、以及低於支持面11g1而形成之凹面11g2所構成。
    支持面11g1係作為若干肉厚部11j側變高而成之傾斜面而構成。於接近支持面11g1之階梯狀部11B側之端部之位置上，在保持治具11之徑方向之中央，形成有用以使設置於保持治具11上之第1片基板S之成膜部分S1相對於成膜源4而露出之開口部11f。
    凹面11g2係形成在低於最初設置在保持治具11上之第1片基板S之下表面之位置上，於與基板S之間形成空間。為了進行膜厚等測定，而於凹面11g2上形成有開口之窗部11h。
    凹面11g2係發揮防止最初載置於保持治具11上之基板S之表面由於與肉厚部11j之摩擦而損傷之作用。因此，可抑制因損傷基板S而造成之良率之降低，可更高效地形成薄膜。
    階梯狀部11B係一面使設置於保持治具11之第2片以後之基板S一點點地偏移一面進行積層而保持之部分，具備支持第2片以後之基板S之成膜部分S1之附近之複數個保持面11d、與設置於保持面11d之間之階差部11e。
    保持面11d係跨及階梯狀部11B之徑方向之全長而延伸之平面，形成於相鄰之一對階差部11e之間。保持面11d為與支持面11g1平行之面，以鄰接之一對階差部11e之中與位於高出一段之位置之保持面11d之間之階差部11e側變低之方式傾斜。保持面11d係自階梯狀部11B之內周側之端部延伸至外周側之端部，且構成為內周側相比於外周側若干變窄而成之俯視大致矩形狀。保持面11d係設置有比設置於保持治具11上之基板S之數量少1之數量個。
    於保持面11d上，形成有用以使基板S之成膜部分S1相對於成膜源4而露出之俯視圓形之開口部11f。開口部11f係以處於與內側立壁部11b及外側立壁部11c同心之圓弧上之方式排列而形成。再者，開口部11f之形狀係取決於基板S之成膜部分S1之形狀而決定者，當然亦可為圓形以外之形狀。
    如此，藉由於保持治具11之保持面11d上形成有開口部11f，保持治具11發揮遮罩之作用。因此，無需於保持治具11以外另外設置覆蓋基板S之構件。又，開口部11f之形狀可適當變更，故成膜部分S1之形狀、大小之精密控制變得容易。
    階差部11e係抵接於設置在保持治具11之第2片以後之基板S各個逆時針方向之端部而定位者，且形成於相鄰之一對保持面11d之間。階差部11e係由順時針方向變低而成之階差所構成。階差部11e俯視時以直線狀自階梯狀部11B之內周側之端部延伸至外周側之端部。
    保持治具11交替而連續地具備相對於水平面以一端側與另一端側相比變高之方式若干傾斜之保持面11d、以及以自該保持面11d之變高之部分下降一段之方式形成之階差部11e，藉此可使形成於保持面11d之開口部11f、與成膜源4之距離均一，因此可對複數個基板S以相同之條件成膜，從而可以均一之膜厚成膜。
    如圖5所示，階差部11e相對於徑方向R-R具有角度地傾斜。
    階差部11e之高度與基板S之厚度相比高出0.05 mm以上而形成。
    更詳細而言，階差部11e以於0.05 mm以上0.1 mm以下之範圍高於基板S之厚度之方式形成。
    如此，藉由階差部11e若干高於基板S之厚度地形成，可易於使基板S之端部相對於階差部11e而抵接。進而，於使基板S保持在保持面11d上時，藉由階差部11e之高度使得重合之基板S彼此隔開若干間隙而重合，故基板S之表面難以彼此接觸，從而可抑制因摩擦而造成基板S之表面損傷之情況。
    若階差部11e之高度與基板S之厚度之差小於0.05 mm，則基板S彼此變得容易接觸，故而不佳。又，若階差部11e之高度與基板S之厚度之差大於0.1 mm，則難以對複數個基板S形成均一之薄膜，故不佳。
    如圖7所示，於保持治具11之圓周方向兩端之徑方向兩端之共計4處，分別形成有用以於圖1之固定用板材51a上安裝保持治具11之安裝孔11p、11q。
    成膜源4係由一般之蒸鍍裝置所構成，設置有複數個圓筒形之爐膽(hearth liner)，該等爐膽配置於圓盤狀爐床(hearth)之同心圓狀之凹處。成膜源4係配置於真空容器1之內部下側，朝向基板S釋出薄膜材料。於圖1中，為了方便起見，僅將一個爐膽作為成膜源4而圖示。
    成膜源4並不限定於藉由電子槍而蒸發之裝置，亦可為例如藉由電阻加熱使薄膜材料蒸發之裝置。又，可取決於形成在基板S上之薄膜之種類或數量，適當變更成膜源4之數量或配置。
    又，例如，於藉由離子助鍍(Ion assisted)法進行蒸鍍之情形時，亦可具備朝向基板S照射正離子之離子源、以及對帶有正電之基板S或基板保持機構3照射電子束而進行電荷之中和之中和器(Neutralizer)等。
    成膜中，由於成膜源4之溫度變得非常高，故為了抑制基板S受到加熱而變形，亦可於基板保持機構3之附近具備公知之基板冷卻機構。該基板冷卻機構於基板S為樹脂製時尤其有效。
    再者，本實施形態之薄膜形成裝置100係藉由真空蒸鍍法進行薄膜形成之裝置，但於濺鍍裝置亦可適用本發明。 <基板之構成>
    如圖2所示，基板S係由4個角形成為圓角之俯視長方形之平板所構成，下表面具備形成有薄膜之成膜部分S1、與不形成薄膜之非成膜部分S2。
    成膜部分S1係於基板S之兩條對向之短邊之中之一短邊附近，自一短邊向內側若干隔離，且形成在垂直於基板S之長度方向之方向之中心。於本實施形態中，成膜部分S1顯示為圓形之例，但亦可為其他形狀。
    基板S係厚度為0.3~0.5 mm左右之玻璃製之板材，自裝飾等目的，亦可於表面上，藉由預印刷等方法形成薄膜。再者，本說明書中，「成膜部分S1」係指以薄膜形成裝置100形成薄膜之特定之區域，而並非指預先形成有薄膜之部分。
    又，於本實施形態中係使用矩形之平板狀作為基板S之形狀，但並不限定於此，當然可進行各種改變。 <基板之設置>
    於保持治具11上，設置與階差部11e同數之基板S。
    如圖6所示，第1片基板S以一短邊抵接於階差11js，另一短邊抵接於位於順時針方向最邊側之階差部11e，且一長邊之中央抵接於內側立壁部11b之保持治具11之徑方向內側之面，另一長邊之兩端部抵接於外側立壁部11c之保持治具11之徑方向外側之面之方式配置。此時，基板S以階差部11e側之端部低於階差11js側之端部之方式傾斜。
    如圖7所示，第2片以後之基板S依序以與前1片所設置之基板S重疊一部分之狀態設置。
    第2片以後之基板S以一短邊配置於前1片所設置之基板S上且沿逆時針方向偏移相鄰之階差部11e之距離之位置上，另一短邊抵接於階差部11e，且一長邊之中央抵接於內側立壁部11b之保持治具11之徑方向內側之面，另一長邊之兩端部抵接於外側立壁部11c之保持治具11之徑方向外側之面之方式配置。
    最後設置之基板S之短邊之中之位於逆時針方向之邊抵接於肉厚部11i。
    如此，基板S之端部抵接於階差部11e、內側立壁部11b、外側立壁部11c、階差11js、肉厚部11i而得以保持，故基板S容易且穩定地固定於保持治具11上，且該保持位置不會偏移。
    如圖8、圖9所示，以此方式設置之基板S以階差部11e側之端部低於另一端部之方式傾斜。
    所設置之複數個基板S之中，未與先設置之基板S重疊之部分之下表面抵接於保持面11d，自設置於保持面11d之開口部11f，基板S之下表面於保持治具11下方露出。該露出之部分作為成膜部分S1，被施以藉由成膜源4進行之成膜處理。
    於一個保持面11d中，保持1片基板S。藉由於保持治具11上依序重疊基板S，而使得複數個基板S以其一部分彼此重疊而除此以外之部分錯開之狀態保持。
    保持面11d之面積小於基板S之面積而形成，以相鄰之基板S之非成膜部分S2彼此重疊之方式，保持治具11保持基板S。
    鄰接之基板S係位於相同方向之短邊並非彼此平行，而是具有0°以上90°以下之角度。保持治具11係以圓弧狀彎曲而成者，由於以此方式構成，故可使更多基板S保持於基板保持構件10上。
    矩形狀之基板S以形成如下之關係之方式保持於保持治具11。於圖7中，以如下方式形成有保持治具11，即將矩形狀之基板S之長邊之中之徑方向內側之長邊之長度設為L，將該長邊之中心點至保持治具11所描繪之圓弧之中心點即旋轉軸X之距離設為r時，長度L之一半長度相對於距離r即(L/2)/r(於下述θ 1之tan θ 1之值)為0.05以上且0.75以下。
    換而言之，如圖7所示，於將通過基板S之徑方向內側之長邊之中心點與旋轉軸X之直線、與通過基板S之頂點之中配置於徑方向內側之頂點與旋轉軸X之直線所成之角度設為θ 1時，θ 1為2.9°以上且36.9°以下。再者，角度θ 1係顯示通過徑方向內側之長邊之中心點與旋轉軸X之直線、與通過基板S之頂點之中之配置於徑方向內側之頂點與旋轉軸X之直線所成之銳角。
    不僅構成基板保持構件10之保持治具11~15，構成各自直徑不同之基板保持構件20、30、40之全部保持治具均以滿足該關係之方式形成。藉此，基板保持構件10、20、30、40可保持多片基板S。藉由將tan θ 1及θ 1之值設定為上述關係，可整批處理大量基板S，從而可極高效地進行薄膜形成作業。
    保持治具11~15及構成基板保持構件20、30、40之各保持治具，係藉由螺栓51螺固於安裝在支持構件50之固定用板材51a之板部，設置成如圖1、圖3所示之態樣。
    此時，基板保持構件10、20、30、40形成為環狀，且以其中心於旋轉構件60之旋轉軸X上之方式藉由支持構件50而支持。而且，基板保持構件10、20、30、40以自最內側之基板保持構件40朝向外側以基板保持構件30、20、10之順序逐漸地變低之方式，支持於支持構件50上。
    具備各個不相同之徑之基板保持構件10、20、30、40以其一部分彼此於上下方向上重疊之方式階梯狀地配置。基板保持構件10、20、30之內側端部較分別配置於基板保持構件10、20、30之內側之基板保持構件20、30、40之外側端部更靠近徑方向內側而配置。
    再者，於本實施形態中，作為基板保持構件10、20、30、40，以於徑方向上具備4個基板保持構件之構成為例，當然亦可形成有除此以外之數量個。如此，藉由將於徑方向上相鄰之基板保持構件之數量設定為複數，可增加成膜之基板S之數量，從而可高效地進行成膜作業。 <基板保持構件之位置關係>
    參照圖10，對基板保持構件10、20、30、40之彼此之位置關係進行說明。圖10係顯示固定有基板保持構件10、20、30、40之支持構件50與成膜源4之位置關係之說明圖。
    基板保持構件10、20、30、40以基板保持機構3形成為圓頂狀且越配置於下方之基板保持構件其直徑越大之方式形成。露出基板S之成膜部分S1之開口部11f、21f、31f、41f，係位於以旋轉構件60之旋轉軸X為軸之假想圓頂表面上，可於基板S上形成均一厚度之薄膜。
    再者，於圖10中，以載置有開口部11f、21f、31f、41f之假想圓頂係圓錐台形狀為例而例示，但亦可於特定之曲率之半球狀圓頂之表面上配置有開口部11f、21f、31f、41f。
    又，基板保持構件10、20、30、40之保持面(11d等)並不限定於水平之狀態，亦可保持面(11d等)與旋轉軸X所成之角度以可變之方式構成。再者，於圖10中，圖示了僅基板保持構件10之保持面11d與旋轉軸X之間之角度可變之構成，但基板保持構件20、30、40同樣地亦可將同角度設定為可變。
    此時，通過基板S之成膜部分S1之中心點及成膜源4之爐膽之端部之第1假想線V1、與成膜部分S1之中心點之垂線P所成之角度θ 2較佳為0°以上45°以下之銳角。再者，於圖10中，為了簡化，僅圖示有基板保持構件10上所具備之複數個基板S之中以面對開口部11f之方式載置之基板S。
    若θ 2大於45°，則薄膜材料傾斜地入射於成膜部分S1，故所形成之薄膜之密度變低，薄膜之折射率降低。其結果，於形成在基板S上之薄膜中，難以獲得所期望之分光特性。
    藉由將角度θ 2設定為0°以上45°以下，可易於控制形成在基板S上之薄膜之厚度，從而可於複數個基板上形成更均一膜厚之薄膜。
    再者，於圖10中，圖示了僅基板保持構件10以使保持面11d相對於水平面而傾斜之狀態配置之構成，當然其他基板保持構件20、30、40亦可同樣地形成傾斜之狀態。
    配置於徑方向內側之基板保持構件20、30、40之開口部21f、31f、41f，係至少較相鄰而配置於徑方向外側之基板保持構件10、20、30之徑方向內側之端部更靠近內側而配置。
    而且，於徑方向上彼此相鄰而配置之基板保持構件20、30、40與基板保持構件10、20、30，係配置在形成於內側之基板保持構件20、30、40之開口部21f、31f、41f相對於成膜源4，並未被外側之基板保持構件10、20、30之徑方向內側端部遮蔽，而是露出之位置上。藉由形成該構成，可使形成於基板S上之薄膜之膜厚恆定。
    更詳細而言，於徑方向上彼此相鄰而配置之基板保持構件20、30、40與基板保持構件10、20、30，係側視時配置在外側之基板保持構件10、20、30之徑方向內側端部在側視時相對於第2假想線V2離開20 mm以上之位置，其中第2假想線V2為通過形成於內側之基板保持構件20、30、40上之開口部21f、31f、41f之外周端部與成膜源4。再者，於圖10中，V2、V3僅針對基板保持構件20、30而圖示。
    即，於圖10中，將通過位於在徑方向上相鄰而配置之基板保持構件20、30、40、與基板保持構件10、20、30之中配置於徑方向內側之基板保持構件20、30、40之開口部21f、31f、41f之基板保持構件20、30、40之徑方向外側之端部、以及成膜源4之爐膽之徑方向之外側端部之直線設為假想線V2，將相對於假想線V2平行，且通過配置於基板保持構件20、30、40之外側之基板保持構件10、20、30之內側立壁部11b等之上端部之直線設為假想線V3時，假想線V2與假想線V3之間之距離I為20 mm以上即可。
    於以同心圓狀配置有直徑不同之基板保持構件10、20、30、40之基板保持機構3中，形成於基板S上之薄膜之厚度係易受到彼此相鄰而配置之基板保持構件10、20、30、40之影響，但由於以此方式構成，故所形成之薄膜之厚度變得不易受外側之基板保持構件10、20、30之影響，從而可使膜厚更均一。
    將基板S載置於保持治具11上之順序如下所述。
    首先，將第1片基板S以覆蓋凹面11g2，且一短邊抵接於肉厚部11j之階差11js，而另一短邊抵接於最接近肉厚部11j之階差部11e之方式載置。
    其次，將第2片基板S重疊於第1片基板S之上，於第1片基板S所抵接之階差部11e之旁邊，使位於逆時針方向上之短邊之端部抵接在位於逆時針方向上之階差部11e。此時，第2片基板S之成膜部分S1並不相對於第1片基板S重疊，且第2片基板S之非成膜部分S2重疊於第1片基板S上。
    於以如上所述之順序將複數個基板S依序載置於保持治具11，而形成圖7~圖9之狀態之後，藉由螺栓51將保持治具11固定於固定用板材51a。藉此，將保持治具11向支持構件50之安裝結束。以相同之順序，進行將保持治具12~15與基板保持構件20、30、40向支持構件50上之安裝。藉此，形成圖3之基板保持機構3之各基板保持構件10、20、30、40上載置有基板S之狀態。
    其後，將載置有基板S之基板保持機構3向真空容器1內導入，進行薄膜形成。
    如此，保持治具11可僅使成膜部分S1相對於成膜源4露出而保持，故可整批、大量地生產包括成膜部分S1及非成膜部分S2之基板S。因此，可縮短成膜作業所必需之時間，可削減成膜作業之費用。 [實施例] (實施例1及比較例1、2)
    藉由上述構成之基板保持機構3保持基板S，使折射率不同之薄膜積層，由此製成抗反射膜(Anti-Reflection Film，AR膜)，對距離I之效果進行評價。
    再者，構成抗反射膜之各層之成膜條件如下所述，於實施例1及比較例1、2中共通。
    基板：玻璃基板
    高折射率介電體材料：TiO2
    低折射率介電體材料：SiO2
    TiO2之成膜速度：0.2 nm/sec
    SiO2之成膜速度：0.3 nm/sec
    TiO2/SiO2蒸發時之離子源條件
    導入氣體：氧氣50 sccm
    離子加速電壓：1000 V
    離子電流：500 mA
    中和器之條件
    中和器電流：1000 mA
    藉由上述成膜條件形成抗反射膜，於將假想線V2與假想線V3之距離I設定為20 mm時(圖11：實施例1)、設定為5 mm時(圖12：比較例1)以及設定為10 mm時(圖13：比較例2)，對存在分別鄰接之基板保持構件之情形、與不存在分別鄰接之基板保持構件之情形，成膜之抗反射膜之反射進行比較。 (實施例1)
    於將距離I設定為20 mm之情形時(圖11)，對存在鄰接之基板保持構件之情形與不存在鄰接之基板保持構件之情形進行比較，顯示出所形成之抗反射膜之反射率上不存在較大之差。再者，於圖11中，以實線顯示之「存在鄰接之基板保持構件之情形」係顯示以相對於在徑方向上相鄰之基板保持構件之中，一基板保持構件距離I為20 mm之方式配置有另一基板保持構件之狀態。
    抗反射膜之抗反射效果即反射率，係存在取決於抗反射膜之厚度之傾向。因此，由圖11所示於以距離I為20 mm之方式配置有基板保持構件時，所形成之薄膜不會受到鄰接之基板保持構件之影響，從而可形成均一之膜厚之薄膜。 (比較例1)
    於將距離I設定為5 mm之情形時(圖12)，對存在鄰接之基板保持構件之情形與不存在鄰接之基板保持構件之情形進行比較，顯示出所形成之抗反射膜之反射率存在較大之差。再者，於圖12中，以實線顯示之「存在鄰接之基板保持構件之情形」係顯示在徑方向上相鄰之基板保持構件之中，以相對於一基板保持構件之距離I為5 mm之方式配置有另一基板保持構件之狀態。
    抗反射膜之抗反射效果即反射率，係存在取決於抗反射膜之厚度之傾向。因此，由圖12所示於以距離I為5 mm之方式配置有基板保持構件時，所形成之薄膜會受到鄰接之基板保持構件之影響。 (比較例2)
    又，於圖13所示之本發明之比較例2中，將距離I設定為10 mm。於本比較例2中，對於距離I為10 mm之狀態下存在鄰接之基板保持構件之情形、與不存在鄰接之基板保持構件之情形進行比較，顯示出所形成之抗反射膜之反射率存在若干之差。再者，「存在鄰接之基板保持構件之情形」係顯示在徑方向上相鄰之基板保持構件之中，以相對於一基板保持構件之距離I為10 mm之方式配置有另一基板保持構件之狀態。
    於圖13中，顯示於以距離I為10 mm之方式配置有基板保持構件時，所形成之薄膜會受到鄰接之基板保持構件之影響。
    因此，顯示近接之基板保持構件10、20、30、40至少會對於距離I為5 mm以上10 mm以下之範圍內成膜之薄膜之膜厚造成影響。而且，進而亦顯示距離I越大，近接之基板保持構件10、20、30、40對成膜之薄膜所帶來之影響越小。因此，預想於距離I進而大於10 mm之情形時，對薄膜所帶來之影響變小。
    而且，由實施例1所示若將距離I設定為20 mm，則近接之基板保持構件10、20、30、40幾乎不會對所成膜之薄膜之膜厚造成影響。
    因此，對於距離I，藉由將相鄰之基板保持構件之徑方向之端部配置於離開20 mm以上之位置上，可使形成於基板S上之薄膜之反射率及膜厚均一。 <另一實施形態>
    其次，對另一實施形態之基板保持機構進行說明。
    本實施形態之基板保持機構具備圖1至圖10所示之旋轉構件60及支持構件50、以及基板保持構件。旋轉構件60及支持構件50與圖1至圖10之實施形態共通，故省略說明。
    基板保持構件係用於取代基板保持構件10、20、30、40者，將固定於支持構件50之最外側之基板保持構件10'顯示於圖14中。
    基板保持構件10'係以俯視時呈大致扇形狀之大致板體所構成，可將保持治具11'~13'固定於板體上而構成。
    基板保持構件10'形成為安裝保持構件11'之部分之中至少形成開口部11f'之部分係以基板S之成膜部分S1露出之方式開口之構成。基板保持構件10'具備用以螺固於安裝在支持構件50上之未圖示之固定用板材上之螺栓孔10h'。
    如圖15所示，保持治具11'係由以俯視時呈大致長方形且剖面為大致字狀(U字狀)之板體所構成。於保持治具11之一對長邊之端部，設置有與內側相比形成若干肉厚之框部11r'，藉由與基板S之一對長邊之端部抵接，而抑制基板S沿短邊方向自保持治具11'脫落。
    保持治具11'具備：複數個保持面11d'，保持基板S；複數個階差部11e'，形成於複數個保持面11d'之間且分別與基板S之短邊之端部抵接；以及開口部11f'，當處於基板S之端部與階差部11e'抵接而得以保持之狀態時，形成在相當於保持面11d'之成膜部分S1之部分。
    保持治具11'具備用以保持基板S之複數個保持面11d'。而且，於鄰接之保持面11d'之間，分別形成有階差部11e'。
    複數個保持面11d'及複數個階差部11e'，係於剖面視時形成為階梯狀，相對於一個保持面11d'保持1片基板S。因此，藉由對該保持治具11'依序重疊基板S，使得複數個基板S之一部分彼此重疊，而另一部分偏移，得以保持。
    階差部11e'係彼此平行，基板S之短邊之端部抵接於該階差部11e'，藉此複數個基板S保持於直線狀。
    因此，基板S之端部分別抵接於階差部11e'及框部11r'得以保持，因此基板S係容易且穩定地固定於保持治具11'上，且該保持位置不會偏移。
    階差部11e'之高度係以若干高於基板S之厚度之方式形成即可。藉由該構成，即便於複數個基板S重疊之狀態下，亦可抑制基板S之表面之損傷。
    於保持面11d'中，形成有使基板S之成膜部分S1相對於成膜源4而露出之開口部11f'。開口部11f係'形成為遍及複數個保持面11d'而形成為一體之長孔。其中，開口部11f'亦可非長孔狀，而是於每個各保持面11d'上分別個別地分離而形成。
    保持治具11'之長度方向之一端側，於組裝基板保持構件10'時成為旋轉軸X側之位置上，具備基板S安裝側之面形成為平面狀之平面部11s'。
    平面部11s'，係支持最初配置於保持治具11'上之基板S之非成膜部分S2。
    保持治具12'、13'，係與保持治具11'相同之構成，故省略說明。
    於本實施形態中，複數個保持治具11'、12'、13'以可覆蓋儘可寬廣之面積之方式，且開口部11f'不彼此重疊之方式配置於基板保持構件10'上。
    可使用與支持構件50同數個固定有保持治具11'~13'之基板保持構件10'。與支持構件50同數之基板保持構件10'係於螺栓孔10h'螺固於未圖示之固定用板材上，藉此架設於圖1至圖10所示之支持構件50之間而固定，作為整體以圓頂狀得以支持。
    於本實施形態中，設置有5個支持構件50，故設置有5個基板保持構件10'，但除此以外之數量亦可。
    將基板S載置於保持治具11'之步驟如下。
    首先，將最初之基板S以使一短邊之端部抵接於形成在最接近平面部11s'之位置上之階差部11e'之方式，載置於平面部11s'。
    其次，將第2片基板S重疊於第1片基板S之上，使第2片基板S之一短邊之端部抵接於第1片基板S所抵接之階差部11e'之鄰之階差部11e'。此時，以第2片基板S之成膜部分S1不重疊於第1片基板S，而第2片基板S之非成膜部分S2重疊於另一基板S之方式載置。
    以相同之步驟將第3片以後之複數個基板S依序載置於保持治具11'之後，將保持治具11'藉由未圖示之螺栓以螺栓孔10h'固定於未圖示之固定用板材。藉此，將第一個保持治具11'向支持構件50上之安裝結束。以相同之步驟，將剩餘4個保持治具11'安裝於支持構件50。藉此，5個保持治具11'安裝於5個支持構件50之間，作為整體形成傘狀之形狀。
    其後，將載置有基板S之基板保持機構3向真空容器1內導入，進行薄膜形成。
    100‧‧‧薄膜形成裝置
    1‧‧‧真空容器
    2‧‧‧真空泵
    3‧‧‧基板保持機構
    4‧‧‧成膜源
    10、20、30、40、10'‧‧‧基板保持構件
    10h'‧‧‧螺栓孔
    11、12、13、14、15、11'、12'、13'‧‧‧保持治具
    11A‧‧‧最下層基板配置部
    11B‧‧‧階梯狀部
    11a‧‧‧底板部
    11b‧‧‧內側立壁部
    11c‧‧‧外側立壁部
    11d、11d'‧‧‧保持面
    11e、11e'‧‧‧階差部
    11f、21f、31f、41f、11f'‧‧‧開口部
    11g1‧‧‧支持面
    11g2‧‧‧凹面
    11h‧‧‧窗部
    11i、11j‧‧‧肉厚部
    11k、11m‧‧‧排氣槽
    11js‧‧‧階差
    11jx‧‧‧排氣槽
    11n‧‧‧第一壁部
    11o‧‧‧第二壁部
    11os‧‧‧階差部
    11p、11q‧‧‧安裝孔
    11r'‧‧‧框部
    11s‧‧‧平面部
    50‧‧‧支持構件
    51‧‧‧螺栓
    51a‧‧‧固定用板材
    60‧‧‧旋轉構件
    I‧‧‧距離
    P‧‧‧垂線
    S‧‧‧基板
    S1‧‧‧成膜部分
    S2‧‧‧非成膜部分
    V1、V2、V3‧‧‧假想線
    X‧‧‧旋轉軸(中心軸)
    R-R‧‧‧徑方向
    r‧‧‧基板至旋轉軸之距離
    L‧‧‧徑方向內側之長邊之長度
    θ 1、θ 2‧‧‧角度
    圖1係顯示本發明之一實施形態之薄膜形成裝置之示意圖。
    圖2係本發明之一實施形態之保持於基板保持機構上之基板之俯視圖。
    圖3係本發明之一實施形態之基板保持機構之俯視圖。
    圖4係本發明之一實施形態之構成基板保持構件之保持治具之立體圖。
    圖5係保持治具之俯視圖。
    圖6係顯示保持治具上載置有第1片基板之狀態之俯視圖。
    圖7係顯示保持治具上載置有全部基板之狀態之俯視圖。
    圖8係顯示保持治具上載置有基板之狀態之剖面說明圖。
    圖9係顯示保持治具上載置有基板之狀態之剖面說明圖。
    圖10係顯示本發明之一實施形態之固定有基板保持構件之支持構件與成膜源之位置關係之說明圖。
    圖11係顯示本發明之實施例1之抗反射膜之反射率之圖表圖。
    圖12係顯示本發明之比較例1之抗反射膜之反射率之圖表圖。
    圖13係顯示本發明之比較例2之抗反射膜之反射率之圖表圖。
    圖14係本發明之另一實施形態之基板保持構件之說明圖。
    圖15係本發明之另一實施形態之基板保持構件之立體圖。
    11A‧‧‧最下層基板配置部
    11B‧‧‧階梯狀部
    11a‧‧‧底板部
    11b‧‧‧內側立壁部
    11c‧‧‧外側立壁部
    11d‧‧‧保持面
    11e‧‧‧階差部
    11f‧‧‧開口部
    11g1‧‧‧支持面
    11g2‧‧‧凹面
    11h‧‧‧窗部
    11i、11j‧‧‧肉厚部
    11k、11m‧‧‧排氣槽
    11js‧‧‧階差
    11jx‧‧‧排氣槽
    11n‧‧‧第一壁部
    11o‧‧‧第二壁部
    11os‧‧‧階差部
    11q‧‧‧安裝孔
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] 一種薄膜形成裝置，具有保持複數個基板之基板保持機構，於上述複數個基板上形成薄膜，其特徵在於：上述基板保持機構，具備：基板保持構件，保持上述複數個基板；支持構件，支持該基板保持構件；以及旋轉構件，使該支持構件旋轉；上述基板保持構件，具有：複數個保持面，保持上述複數個基板，且配置於釋出上述薄膜之材料之成膜源與上述複數個基板之間；複數個階差部，形成於該複數個保持面之間；以及複數個開口部，分別形成於上述複數個保持面；當處於上述複數個基板之中不形成上述薄膜之非成膜部分之一部分與其他基板重合並且形成上述薄膜之成膜部分露出、上述複數個基板之端部分別抵接於上述階差部之狀態時，上述成膜部分能以通過上述開口部於上述成膜源側露出之方式搭載複數個上述基板。
    [2] 如申請專利範圍第1項之薄膜形成裝置，其中，上述基板保持構件於上述旋轉構件之旋轉方向分割成2以上12以下。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之薄膜形成裝置，其中，上述基板保持構件係形成為俯視時呈環狀，且於上述基板保持構件之徑方向上，相鄰而配置複數個上述基板保持構件。
    [4] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之薄膜形成裝置，其中，上述支持構件係以上述基板保持構件之上述複數個保持面、與上述旋轉構件之旋轉軸所成之角度可變之方式保持上述基板保持構件。
    [5] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之薄膜形成裝置，其中，上述基板保持構件係以通過上述成膜部分與上述成膜源之第1假想線、與相對於上述成膜部分之成膜面之垂線所成之角度為0°以上45°以下之方式保持上述複數個基板。
    [6] 如申請專利範圍第1至5項中任一項之薄膜形成裝置，其中，上述支持構件係以形成於上述複數個保持面之上述複數個開口部位於以上述旋轉構件之旋轉軸為中心軸之假想圓頂上之方式支持上述基板保持構件。
    [7] 如申請專利範圍第3至6項中任一項之薄膜形成裝置，其中，於上述徑方向上彼此相鄰而配置之上述基板保持構件，係配置在形成於一上述基板保持構件之上述開口部相對於上述成膜源並未被另一上述基板保持構件遮蔽之位置。
    [8] 如申請專利範圍第3至7項中任一項之薄膜形成裝置，其中，上述支持構件係支持形成為於旋轉方向及徑方向之至少一方配置有複數個之上述基板保持構件；於上述徑方向上彼此相鄰而配置之上述基板保持構件係配置在相對於通過形成於一上述基板保持構件之上述保持面之上述開口部之外周與上述成膜源之第2假想線，另一上述基板保持構件之上述徑方向之端部離開20mm以上之位置。
    [9] 如申請專利範圍第3至8項中任一項之薄膜形成裝置，其中，上述複數個階差部係沿著相對於上述徑方向傾斜之方向而形成；上述複數個基板係由矩形狀之板材所構成，當將上述複數個基板中上述徑方向內側之緣邊之長度分別設為L，將上述複數個基板之各個之緣邊之中心點至上述旋轉構件之旋轉軸之距離設為r時，上述基板保持構件以(L/2)/r之值成為0.05以上0.75以下之方式保持上述複數個基板。
    [10] 如申請專利範圍第9項之薄膜形成裝置，其中，上述基板保持構件係以被重合而保持之上述複數個基板之中一上述基板之緣邊、與另一上述基板之緣邊所成之角度成為0°以上90°以下之方式保持上述複數個基板。
    [11] 如申請專利範圍第1至10項中任一項之薄膜形成裝置，其中，上述複數個階差部之高度與上述複數個基板之厚度相比高出0.05 mm以上而形成。
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    同族专利:
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    TWI403597B|2013-08-01|
    引用文献:
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